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ON Semiconductor - FDI2532

KEY Part #: K6411273

[8484個在庫]

    品番:
    FDI2532
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDI2532 electronic components. FDI2532 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDI2532, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDI2532 製品の属性

    品番 : FDI2532
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 150V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 8A (Ta), 79A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 33A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 107nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 5870pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 310W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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