Infineon Technologies - BSR302NL6327HTSA1

KEY Part #: K6405228

BSR302NL6327HTSA1 価格設定(USD) [537756個在庫]

  • 1 pcs$0.06878
  • 3,000 pcs$0.06602

品番:
BSR302NL6327HTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSR302NL6327HTSA1 electronic components. BSR302NL6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSR302NL6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSR302NL6327HTSA1 製品の属性

品番 : BSR302NL6327HTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 23 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 30µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.6nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 750pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SC-59
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3425EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.

  • IRFR48ZTRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • SI1467DH-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6.

  • FDG312P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • IRLMS6702TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP.

  • SSM3J352F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH.