DMJ70H1D3SJ3 価格設定（USD） [98319個在庫]
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- 品番:
- DMJ70H1D3SJ3
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH TO251.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3 electronic components. DMJ70H1D3SJ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H1D3SJ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMJ70H1D3SJ3 製品の属性
品番 :
DMJ70H1D3SJ3
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH TO251
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
351pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
41W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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