Diodes Incorporated - DMJ70H1D3SJ3

KEY Part #: K6392941

DMJ70H1D3SJ3 価格設定(USD) [98319個在庫]

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品番:
DMJ70H1D3SJ3
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO251.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMJ70H1D3SJ3 製品の属性

品番 : DMJ70H1D3SJ3
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH TO251
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.9nC @ 10V
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 351pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 41W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-251
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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