Nexperia USA Inc. - PHP18NQ10T,127

KEY Part #: K6410073

PHP18NQ10T,127 価格設定(USD) [87402個在庫]

  • 1 pcs$0.44737
  • 10 pcs$0.39134
  • 100 pcs$0.28567
  • 500 pcs$0.21161
  • 1,000 pcs$0.16929

品番:
PHP18NQ10T,127
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PHP18NQ10T,127 electronic components. PHP18NQ10T,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHP18NQ10T,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHP18NQ10T,127 製品の属性

品番 : PHP18NQ10T,127
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 633pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 79W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2222LL-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • ZVN4206AV

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • FDD6670AS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

  • FDD8586

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

  • FDD8580

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

  • FCD4N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.