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Microsemi Corporation - APT30F60J

KEY Part #: K6393247

APT30F60J 価格設定（USD） [3474個在庫]

  • 1 pcs$13.71368
  • 10 pcs$12.68423
  • 100 pcs$10.83320
品番:
APT30F60J
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT30F60J electronic components. APT30F60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT30F60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30F60J 製品の属性

品番 : APT30F60J
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 215nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 8590pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 355W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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