Infineon Technologies - IPB70N04S406ATMA1

KEY Part #: K6420038

IPB70N04S406ATMA1 価格設定(USD) [153977個在庫]

  • 1 pcs$0.24021
  • 1,000 pcs$0.22038

品番:
IPB70N04S406ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPB70N04S406ATMA1 electronic components. IPB70N04S406ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB70N04S406ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB70N04S406ATMA1 製品の属性

品番 : IPB70N04S406ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 70A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.2 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 26µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2550pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 58W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません