Infineon Technologies - IRL6342TRPBF

KEY Part #: K6416018

IRL6342TRPBF 価格設定(USD) [358923個在庫]

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品番:
IRL6342TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL6342TRPBF 製品の属性

品番 : IRL6342TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.1V @ 10µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1025pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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