STD120N4F6 価格設定（USD） [58770個在庫]
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- 品番:
- STD120N4F6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 80A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD120N4F6 electronic components. STD120N4F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD120N4F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD120N4F6 製品の属性
品番 :
STD120N4F6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3850pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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