FDMB3900AN 価格設定（USD） [344906個在庫]
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- 品番:
- FDMB3900AN
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDMB3900AN electronic components. FDMB3900AN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMB3900AN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMB3900AN 製品の属性
品番 :
FDMB3900AN
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
890pF @ 13V
パワー-最大 :
800mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
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