SQM100N02-3M5L_GE3 価格設定（USD） [73379個在庫]
- 1 pcs$0.53286
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 100A TO263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQM100N02-3M5L_GE3 electronic components. SQM100N02-3M5L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM100N02-3M5L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQM100N02-3M5L_GE3 製品の属性
品番 :
SQM100N02-3M5L_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5500pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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