メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.5V, 4V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
126 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
3.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
195pF @ 10V
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666