IXFL32N120P 価格設定（USD） [2608個在庫]
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- 25 pcs$19.09537
- 品番:
- IXFL32N120P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFL32N120P electronic components. IXFL32N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFL32N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFL32N120P 製品の属性
品番 :
IXFL32N120P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
シリーズ :
HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
360nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
21000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
520W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUSi5-Pak™
パッケージ/ケース :
ISOPLUSi5-Pak™
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