IXYS - IXFR102N30P

KEY Part #: K6395868

IXFR102N30P 価格設定(USD) [8745個在庫]

  • 1 pcs$5.20958
  • 30 pcs$5.18366

品番:
IXFR102N30P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFR102N30P electronic components. IXFR102N30P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR102N30P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR102N30P 製品の属性

品番 : IXFR102N30P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
シリーズ : PolarHT™ HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 300V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 36 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 224nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOPLUS247™
パッケージ/ケース : ISOPLUS247™

あなたも興味があるかもしれません