SPD18P06PGBTMA1 価格設定（USD） [179720個在庫]
- 1 pcs$0.20581
- 品番:
- SPD18P06PGBTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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SPD18P06PGBTMA1 製品の属性
品番 :
SPD18P06PGBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
860pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
80W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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