Microsemi Corporation - APTM100H45FT3G

KEY Part #: K6522575

APTM100H45FT3G 価格設定(USD) [1046個在庫]

  • 1 pcs$44.64869
  • 100 pcs$44.42656

品番:
APTM100H45FT3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100H45FT3G electronic components. APTM100H45FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H45FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H45FT3G 製品の属性

品番 : APTM100H45FT3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V (1kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 154nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4350pF @ 25V
パワー-最大 : 357W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3