メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V (1kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
18A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
154nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4350pF @ 25V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)