Vishay Siliconix - SI7414DN-T1-GE3

KEY Part #: K6417156

SI7414DN-T1-GE3 価格設定(USD) [138342個在庫]

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品番:
SI7414DN-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7414DN-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI7414DN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8

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