FDMC86261P 価格設定（USD） [114503個在庫]
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- 品番:
- FDMC86261P
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDMC86261P electronic components. FDMC86261P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC86261P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMC86261P 製品の属性
品番 :
FDMC86261P
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Ta), 9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
160 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1360pF @ 75V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.3W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-MLP (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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