Vishay Siliconix - IRLZ14PBF

KEY Part #: K6392984

IRLZ14PBF 価格設定(USD) [93521個在庫]

  • 1 pcs$0.41810
  • 10 pcs$0.34567
  • 100 pcs$0.26665
  • 500 pcs$0.19751
  • 1,000 pcs$0.15801

品番:
IRLZ14PBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRLZ14PBF electronic components. IRLZ14PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLZ14PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLZ14PBF 製品の属性

品番 : IRLZ14PBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 200 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.4nC @ 5V
Vgs(最大) : ±10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 400pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 43W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • LND150N3-G-P013

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • LND150N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • FDD86110

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3.

  • RFD16N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.

  • FDD8445

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 70A DPAK.

  • FDD5N50FTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK.