Infineon Technologies - IRFB38N20DPBF

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IRFB38N20DPBF 価格設定(USD) [39965個在庫]

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品番:
IRFB38N20DPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB38N20DPBF 製品の属性

品番 : IRFB38N20DPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 43A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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