SI8851EDB-T2-E1 価格設定（USD） [349207個在庫]
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- 品番:
- SI8851EDB-T2-E1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8851EDB-T2-E1 electronic components. SI8851EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8851EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8851EDB-T2-E1 製品の属性
品番 :
SI8851EDB-T2-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
180nC @ 8V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6900pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
660mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Power Micro Foot® (2.4x2)
パッケージ/ケース :
30-XFBGA
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