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ON Semiconductor - FDM606P

KEY Part #: K6411300

[13839個在庫]

    品番:
    FDM606P
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDM606P electronic components. FDM606P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDM606P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDM606P 製品の属性

    品番 : FDM606P
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.8A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.8V, 4.5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 1.5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 30nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : ±8V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2200pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.92W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-MLP, MicroFET (3x2)
    パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

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