Advanced Linear Devices Inc. - ALD1110EPAL

KEY Part #: K6521985

ALD1110EPAL 価格設定(USD) [14390個在庫]

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  • 50 pcs$1.57533

品番:
ALD1110EPAL
メーカー:
Advanced Linear Devices Inc.
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD1110EPAL 製品の属性

品番 : ALD1110EPAL
メーカー : Advanced Linear Devices Inc.
説明 : MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
シリーズ : EPAD®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 10V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 500 Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.01V @ 1µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2.5pF @ 5V
パワー-最大 : 600mW
動作温度 : 0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PDIP

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