Infineon Technologies - BSC117N08NS5ATMA1

KEY Part #: K6420144

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品番:
BSC117N08NS5ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC117N08NS5ATMA1 製品の属性

品番 : BSC117N08NS5ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 49A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.8V @ 22µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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