RV1C001ZPT2L 価格設定（USD） [1940278個在庫]
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- 品番:
- RV1C001ZPT2L
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RV1C001ZPT2L electronic components. RV1C001ZPT2L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RV1C001ZPT2L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RV1C001ZPT2L 製品の属性
品番 :
RV1C001ZPT2L
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
15pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VML0806
パッケージ/ケース :
3-SMD, No Lead
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