メーカー :
Infineon Technologies
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
26A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
3.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
74nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
3186pF @ 40V
消費電力(最大) :
4W (Ta), 195W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)