FDP090N10 価格設定（USD） [32584個在庫]
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- 品番:
- FDP090N10
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDP090N10 electronic components. FDP090N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP090N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDP090N10 製品の属性
品番 :
FDP090N10
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
75A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
116nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8225pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
208W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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