[12794個在庫]
- 品番:
- STP12NK60Z
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP12NK60Z electronic components. STP12NK60Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP12NK60Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP12NK60Z 製品の属性
品番 :
STP12NK60Z
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
シリーズ :
SuperMESH™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
640 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1740pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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