FQP3P50 価格設定（USD） [34131個在庫]
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- 品番:
- FQP3P50
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQP3P50 electronic components. FQP3P50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP3P50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQP3P50 製品の属性
品番 :
FQP3P50
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.9 Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
660pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
85W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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