FDFMA3N109 価格設定（USD） [296432個在庫]
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- 品番:
- FDFMA3N109
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDFMA3N109 electronic components. FDFMA3N109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFMA3N109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFMA3N109 製品の属性
品番 :
FDFMA3N109
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
220pF @ 15V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-MicroFET (2x2)
パッケージ/ケース :
6-VDFN Exposed Pad
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