Infineon Technologies - IRF7607TRPBF

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IRF7607TRPBF 価格設定(USD) [388183個在庫]

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品番:
IRF7607TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7607TRPBF 製品の属性

品番 : IRF7607TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22nC @ 5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1310pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Micro8™
パッケージ/ケース : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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