STMicroelectronics - STF13N60DM2

KEY Part #: K6397807

STF13N60DM2 価格設定(USD) [46994個在庫]

  • 1 pcs$0.83202
  • 10 pcs$0.75342
  • 100 pcs$0.60537
  • 500 pcs$0.47083
  • 1,000 pcs$0.39012

品番:
STF13N60DM2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
N-CHANNEL 600 V 0.310 OHM TYP..
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STF13N60DM2 electronic components. STF13N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STF13N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STF13N60DM2 製品の属性

品番 : STF13N60DM2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : N-CHANNEL 600 V 0.310 OHM TYP.
シリーズ : MDmesh™ DM2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 365 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 730pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 25W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.