Infineon Technologies - IRFR5305TRRPBF

KEY Part #: K6411459

[13783個在庫]


    品番:
    IRFR5305TRRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRFR5305TRRPBF electronic components. IRFR5305TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR5305TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR5305TRRPBF 製品の属性

    品番 : IRFR5305TRRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 31A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 63nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1200pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 110W (Tc)
    動作温度 : -
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • VN2410LG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92.

    • VN2222LLG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • BS170RLRAG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • 2SJ377(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • IRLR8503TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRLR8503PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.