[8782個在庫]
- 品番:
- GP1M006A070FH
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 700V 5A TO220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M006A070FH electronic components. GP1M006A070FH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M006A070FH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M006A070FH 製品の属性
品番 :
GP1M006A070FH
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明 :
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
39W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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