SIE818DF-T1-E3 価格設定（USD） [44701個在庫]
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- 品番:
- SIE818DF-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIE818DF-T1-E3 electronic components. SIE818DF-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE818DF-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIE818DF-T1-E3 製品の属性
品番 :
SIE818DF-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3200pF @ 38V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5.2W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
10-PolarPAK® (L)
パッケージ/ケース :
10-PolarPAK® (L)
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