[2743個在庫]
- 品番:
- RJK0629DPE-00#J3
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJK0629DPE-00#J3 electronic components. RJK0629DPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0629DPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK0629DPE-00#J3 製品の属性
品番 :
RJK0629DPE-00#J3
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
85A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 43A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4100pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-LDPAK
パッケージ/ケース :
SC-83
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