Vishay Siliconix - SIHA24N65EF-E3

KEY Part #: K6399644

SIHA24N65EF-E3 価格設定(USD) [14431個在庫]

  • 1 pcs$2.85574
  • 10 pcs$2.55121
  • 100 pcs$2.09191
  • 500 pcs$1.69394
  • 1,000 pcs$1.42862

品番:
SIHA24N65EF-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIHA24N65EF-E3 electronic components. SIHA24N65EF-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA24N65EF-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA24N65EF-E3 製品の属性

品番 : SIHA24N65EF-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
シリーズ : E
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 156 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2774pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 39W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2224N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3.

  • IRFI634GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP.

  • R6020ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM.