Diodes Incorporated - BSS138TA

KEY Part #: K6415137

BSS138TA 価格設定(USD) [12514個在庫]

  • 3,000 pcs$0.04307

品番:
BSS138TA
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated BSS138TA electronic components. BSS138TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS138TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS138TA 製品の属性

品番 : BSS138TA
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 50V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 200mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.5 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 50pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 300mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • NDF0610

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA TO92.

  • ZVP4105A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

  • ZVP2120A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN0540A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

  • BSS100

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 220MA TO92.

  • BSS110

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 50V 170MA TO92.