Infineon Technologies - IRF6706S2TRPBF

KEY Part #: K6406544

[1282個在庫]


    品番:
    IRF6706S2TRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF6706S2TRPBF 製品の属性

    品番 : IRF6706S2TRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Ta), 63A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.8 mOhm @ 17A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 25µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1810pF @ 13V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1.8W (Ta), 26W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET S1
    パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric S1

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