IXFT58N20Q 価格設定（USD） [8356個在庫]
- 30 pcs$5.46615
- 品番:
- IXFT58N20Q
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-268.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT58N20Q electronic components. IXFT58N20Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT58N20Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT58N20Q 製品の属性
品番 :
IXFT58N20Q
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
58A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AON6562
- IPD60R650CEATMA1
- HUFA76645S3ST-F085
- RJK5026DPP-E0#T2
- RJK2009DPM-00#T0
- IPA50R380CE
- BUZ73A H3046
- RJK6025DPD-00#J2
- IRLHM630TR2PBF
- SI4418DY-T1-GE3
- SI1403CDL-T1-GE3
- BSC200P03LSGAUMA1
- NDS8410A
- IRF6710S2TR1PBF
- IRFR5505CTRLPBF
- IRF1405ZSPBF
- IPB09N03LA G
- HUF75939P3
- RFP50N05L
- STW26NM50
- FQPF9N30
- FQI5N40TU
- ZVN4306AVSTOA
- NTB75N03L09T4G
- IRFU3911PBF
- IRF6691TR1
- NTP60N06L
- NP83P06PDG-E1-AY
- IRL1404ZL
- IRF7807VD1TR
- IRFS41N15DTRR
- IRFI510G
- IRF840L
- IRF540
- IXFV20N80P
- IPB107N20N3GATMA1
- IPB47N10S33ATMA1
- STB3NK60ZT4
- IPC020N10L3X1SA1
- ES6U1T2R