MMIX1F360N15T2 価格設定（USD） [2818個在庫]
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- 品番:
- MMIX1F360N15T2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 235A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS MMIX1F360N15T2 electronic components. MMIX1F360N15T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1F360N15T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMIX1F360N15T2 製品の属性
品番 :
MMIX1F360N15T2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 150V 235A
シリーズ :
GigaMOS™, TrenchT2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
235A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
715nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
47500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
680W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
24-SMPD
パッケージ/ケース :
24-PowerSMD, 21 Leads
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