DMHC10H170SFJ-13 価格設定（USD） [151401個在庫]
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- 品番:
- DMHC10H170SFJ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13 electronic components. DMHC10H170SFJ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMHC10H170SFJ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMHC10H170SFJ-13 製品の属性
品番 :
DMHC10H170SFJ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A, 2.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1167pF @ 25V
パワー-最大 :
2.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
12-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
V-DFN5045-12
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