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- 品番:
- FQB8N60CTM-WS
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 7.5A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB8N60CTM-WS electronic components. FQB8N60CTM-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB8N60CTM-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB8N60CTM-WS 製品の属性
品番 :
FQB8N60CTM-WS
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 7.5A
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1255pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.13W (Ta), 147W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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