PMT200EPEX 価格設定（USD） [384703個在庫]
- 1 pcs$0.09615
- 品番:
- PMT200EPEX
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- PMT200EPE/SOT223/SC-73.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Nexperia USA Inc. PMT200EPEX electronic components. PMT200EPEX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMT200EPEX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMT200EPEX 製品の属性
品番 :
PMT200EPEX
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
PMT200EPE/SOT223/SC-73
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
70V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
167 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
822pF @ 35V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
800mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-73
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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