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ON Semiconductor - FDMQ8203

KEY Part #: K6522736

FDMQ8203 価格設定（USD） [66799個在庫]

  • 1 pcs$0.58534
  • 3,000 pcs$0.55607
  • 6,000 pcs$0.53517
品番:
FDMQ8203
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMQ8203 electronic components. FDMQ8203 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMQ8203, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMQ8203 製品の属性

品番 : FDMQ8203
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
シリーズ : GreenBridge™ PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V, 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.4A, 2.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 210pF @ 50V
パワー-最大 : 2.5W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 12-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 12-MLP (5x4.5)

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