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ON Semiconductor - FCI25N60N-F102

KEY Part #: K6417114

FCI25N60N-F102 価格設定（USD） [25094個在庫]

  • 1 pcs$1.64240
品番:
FCI25N60N-F102
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCI25N60N-F102 electronic components. FCI25N60N-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCI25N60N-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCI25N60N-F102 製品の属性

品番 : FCI25N60N-F102
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
シリーズ : SupreMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3352pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 216W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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