STMicroelectronics - STB35N65DM2

KEY Part #: K6396724

STB35N65DM2 価格設定(USD) [25498個在庫]

  • 1 pcs$1.61631

品番:
STB35N65DM2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STB35N65DM2 electronic components. STB35N65DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB35N65DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB35N65DM2 製品の属性

品番 : STB35N65DM2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
シリーズ : MDmesh™ M2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 28A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 210W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • STFW69N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF.

  • STFW2N105K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF.

  • STI6N95K5

    STMicroelectronics

    NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET.

  • STI6N80K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK.

  • STI20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK.