[8485個在庫]
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 6A VS-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M electronic components. TPCF8101(TE85L,F,M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCF8101(TE85L,F,M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCF8101(TE85L,F,M 製品の属性
品番 :
TPCF8101(TE85L,F,M
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
シリーズ :
U-MOSIII
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
28 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18nC @ 5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VS-8 (2.9x1.5)
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
- 2SK3817-DL-E
- IRF1405ZL-7PPBF
- IPB80N06S209ATMA1
- IXTP102N15T
- FDJ129P_F077
- IRF3704ZCLPBF
- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
- IPI100N06S3-04
- HUF76633P3
- FQI9N15TU
- IRLI610ATU
- FQP7N10L
- FQPF5N20L
- FDB8874
- IRL3705ZSTRL
- IRF7832Z
- BSS123ATA
- 2N6760
- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
- IXFH35N30
- STP8NM60ND
- SI1011X-T1-GE3
- IPC60R099C6X1SA1
- IPP60R180C7XKSA1
- IPP120N08S404AKSA1
- IRFS23N15DTRLP
- STD15N60M2-EP
- STD12N50M2
- IPD12CN10NGATMA1
- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115