現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G1646I-BYMA

Samsung Semiconductor - K4B1G1646I-BYMA

KEY Part #: K7359647

[20093個在庫]

    品番:
    K4B1G1646I-BYMA
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR3, HBM Aquabolt, MODULE, LPDDR5, DDR4 and SLC Nandを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G1646I-BYMA electronic components. K4B1G1646I-BYMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G1646I-BYMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G1646I-BYMA 製品の属性

    品番 : K4B1G1646I-BYMA
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 1 Gb
    組織。 : 64M x 16
    速度 : 1866 Mbps
    電圧 : 1.35 V
    温度。 : 0 ~ 85 °C
    パッケージ : 96FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    最新ニュース

    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    The future of NAND technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    How Will 5G Impact on Memory?
    Speed for the next generation of mobile devices
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    あなたも興味があるかもしれません
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ホットパーツ