現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G1646I-BYK0

Samsung Semiconductor - K4B1G1646I-BYK0

KEY Part #: K7359646

[21190個在庫]

    品番:
    K4B1G1646I-BYK0
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、HBM Flarebolt, LPDDR5, LPDDR3, HBM Aquabolt, DDR3, DDR4, SLC Nand and GDDR5を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G1646I-BYK0 electronic components. K4B1G1646I-BYK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G1646I-BYK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G1646I-BYK0 製品の属性

    品番 : K4B1G1646I-BYK0
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 1 Gb
    組織。 : 64M x 16
    速度 : 1600 Mbps
    電圧 : 1.35 V
    温度。 : 0 ~ 85 °C
    パッケージ : 96FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    最新ニュース

    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    あなたも興味があるかもしれません
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ホットパーツ