Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BYNB

KEY Part #: K7359698

[21068個在庫]


    品番:
    K4B4G1646D-BYNB
    メーカー:
    Samsung Semiconductor
    詳細な説明:
    4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、GDDR6, HBM Flarebolt, DDR3, LPDDR4X, DDR4, SLC Nand, GDDR5 and LPDDR5を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BYNB electronic components. K4B4G1646D-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BYNB 製品の属性

    品番 : K4B4G1646D-BYNB
    メーカー : Samsung Semiconductor
    説明 : 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    シリーズ : DDR3
    密度 : 4 Gb
    組織。 : 256M x 16
    速度 : 2133 Mbps
    電圧 : 1.35 V
    温度。 : 0 ~ 85 °C
    パッケージ : 96FBGA
    製品ステータス : Mass Production

    あなたも興味があるかもしれません
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.